澜语墨那边继续的薅羊毛，纳斯达克提款机还在源源不断的为未来投资提供资金。
而张京呆在燕京的这两天也接到了一个消息，林本健愿意做新公司的项目顾问。
林晓听到这个消息，无疑是大喜。
在后世的芯片制造行业，林本健绝对是个赫赫有名的人物。
上世纪的最后二十年，岛国一直是半导体行业的绝对霸主，他们掌握了半导体行业众多关键技术与产品，其中一个很重要的就是光刻机。
尼康和佳能的光刻机占据了市场上很大的份额，即便光刻机大国米国也被他们拉下马。
尤其是尼康，是当之无愧的行业巨头。
因为光刻机的本质与投景仪+照相机差不多，以光为刀，将设计好的电路图投射到硅片上。
在那个芯片制程还停留在微米的时代，能做光刻机的企业，有数十家，而尼康凭借着相机时代的积累，在岛国半导体产业全面崛起的年代，成长为了光刻机行业的巨头。
毫不夸张的说，当时的英特尔、IBM、AMD、德州仪器等半导体大厂，每天排队堵在尼康门口等待最新产品下线的热情，与后世大家眼巴巴等着阿斯麦EUV光刻机交货的迫切程度相差无几。
而到了后面，之所以行业的巨头成为了阿斯麦，始于21世纪初的157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法的技术之争。
进入90年代，光刻机的光源波长被限制死在193nm，成为了摆在全产业面前的一道难关。
光刻机的光源就相当于刻刀，要雕刻的更精细，刀尖就得锋利，而当刀尖技术卡住了，也意味着芯片制造技术面临瓶颈。
以尼康为代表的公司主张采用157nm的F2激光，继续研究光源技术。
米国的一些公司则是押注更激进的极紫外技术，也就是后世赫赫有名的EUV光刻，试图直接用十几纳米的极紫外光来做光源。
但是两者的需要克服的障碍都很多，进程非常慢。
前一世的2002年，鬼才林本健横空出世，他在一次交流会上，首次提出“沉浸式光刻”方案。
他的理论听起来很简单，就是利用水会影响光的折射率这一高中知识，在透镜和硅片之间加一层水，这样原有的193nm激光经过折射，不就直接越过了157nm的瓶颈，降低到了132nm吗？
随后，林本健带着他的沉浸式光刻方案前往米国、岛国、德国等地，游说各家半导体巨头，但都吃了闭门羹。
在这些巨头门看来，这只是理想情况，在精密的机器中加水构建浸润环境，既要考虑实际性能，又要担心污染，如果在这种“替代方案”花费精力，耽误了光源的研究，就有可能被对手反超。
因为林本健的这个想法太过简单或者说太过理想化，而且等于否定了其它巨头正在走的技术路线，遭到了各大半导体巨头的集体拒绝，而且一度给台积电施压制止林本健到处乱窜搅局。
当时在光刻机领域市场份额较小的荷兰厂家阿斯麦知道这个事情后，决定赌一把，因为这时候在市场里本来也无法和尼康等巨头竞争，他们押注沉浸式技术有可能实现以小博大。
于是林本健和阿斯麦双方一拍即合，双方合作仅用一年多的时间，也就是在2004年，阿斯麦就做出了第一台样机。
而林本健随后又说服了台积电使用这个方案，并完成了产品生产，让台积电在芯片制程技术上一举追上了之前遥遥领先的巨头英特尔。
台积电成功批量生产证明了浸入式技术的工艺可能性，而且浸入式属于小改进大效果，产品成熟度非常高，随后英特尔、IBM等公司纷纷决定跟进，购买阿斯麦的光刻机。